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碳化硅(SiC)结构生长技术升级峰会
发布日期:2025-6-11  访问:234

 开展时间:2025-12-9
 结束时间:2025-12-11
 展会地点:上海新国际博览中心


上海国际硅材料展览会

官方链接了解更多  http://www.hmzlh.cn/s/id/693.html 

时间:2025129-11

地点:上海新国际博览中心

报馆名称:国际碳材料大会暨硅材料展览会

主办方:励展国际博览

中国生产力促进中心协会新材料专委会

承办方:汉慕会展(上海)有限公司

会展官方链接了解更多  http://www.hmzlh.cn/s/id/693.html 

大家上午好!在这万物并秀的仲夏时节,我们齐聚一堂,共同开启这场聚焦碳化硅结构生长技术升级的行业盛会。作为第三代半导体材料的核心代表,碳化硅正以突破性的物理特性重塑着电力电子、新能源汽车、航天军工等领域的产业格局。今天,我们不仅是在探讨一项技术的革新,更是在参与一场可能改变未来能源利用效率的产业革命。

让我们首先回顾碳化硅技术发展的三个关键里程碑:从1893年爱德华·古德里奇·阿奇逊首次在实验室合成碳化硅晶体,到上世纪50年代Lely法开创性的自发成核生长,再到90年代后期物理气相传输法(PVT)实现产业化突破——这条技术演进之路,恰如我们手中正在生长的碳化硅晶体,需要经历高温高压的淬炼才能成就卓越品质。据最新行业数据显示,全球碳化硅功率器件市场规模预计在2027年突破100亿美元,其中衬底材料的技术突破将成为决定产业发展的关键变量。

官方链接了解更多  http://www.hmzlh.cn/s/id/693.html 

 


   
   
 
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